產(chǎn)品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門(mén)康模塊
- 西門(mén)康IGBT模塊
- 西門(mén)康IGBT智能模塊
- 西門(mén)康大功率模塊
- 西門(mén)康二極管
- 西門(mén)康整流橋
- 西門(mén)康可控硅模塊
- 西門(mén)子IGBT模塊
- 西門(mén)子可控硅
- 西門(mén)子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動(dòng)模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達(dá)林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國(guó)BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無(wú)感電容
- 光耦
- 場(chǎng)效應(yīng)模塊
- IR可控硅
新聞詳情
igbt功率模塊發(fā)展前景如何
日期：2025-07-31 09:33
瀏覽次數(shù)：728
摘要：
現(xiàn)階段igbt模塊原材料是硅半導(dǎo)體，已使用二十余載，，抗壓為6500伏，電流為3600安，不能完成很大突破。因此，行業(yè)內(nèi)公認(rèn)igbt模塊技術(shù)現(xiàn)階段已接近封頂。
但，對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)，需求并不是根本，技術(shù)升級(jí)才能是掌握投資機(jī)會(huì)的主軸，一旦技術(shù)出現(xiàn)迭代，需求將不會(huì)出現(xiàn)線性增長(zhǎng)的狀態(tài)?，F(xiàn)階段，igbt模塊在新能源車(chē)行業(yè)，就遭受了這個(gè)挑戰(zhàn)。業(yè)內(nèi)人士廣泛認(rèn)為，硅基igbt模塊逼近原材料特性，技術(shù)升級(jí)勢(shì)在必行。所以，以后碳化硅（SiC）半導(dǎo)體在一定行業(yè)和行業(yè)，包含電動(dòng)汽車(chē)，會(huì)完成對(duì)硅半導(dǎo)體的很大更換。
SiC和G...
現(xiàn)階段igbt模塊原材料是硅半導(dǎo)體，已使用二十余載，，抗壓為6500伏，電流為3600安，不能完成很大突破。因此，行業(yè)內(nèi)公認(rèn)igbt模塊技術(shù)現(xiàn)階段已接近封頂。
但，對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)，需求并不是根本，技術(shù)升級(jí)才能是掌握投資機(jī)會(huì)的主軸，一旦技術(shù)出現(xiàn)迭代，需求將不會(huì)出現(xiàn)線性增長(zhǎng)的狀態(tài)。現(xiàn)階段，igbt模塊在新能源車(chē)行業(yè)，就遭受了這個(gè)挑戰(zhàn)。業(yè)內(nèi)人士廣泛認(rèn)為，硅基igbt模塊逼近原材料特性，技術(shù)升級(jí)勢(shì)在必行。所以，以后碳化硅（SiC）半導(dǎo)體在一定行業(yè)和行業(yè)，包含電動(dòng)汽車(chē)，會(huì)完成對(duì)硅半導(dǎo)體的很大更換。
SiC和GaN是第3代半導(dǎo)體材質(zhì)，與半導(dǎo)體材質(zhì)相比較，第3代半導(dǎo)體材質(zhì)具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適用于制做高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，一般又被稱(chēng)作寬禁帶半導(dǎo)體材質(zhì)。
但，限制SiC用處的因素是成本費(fèi)太高，產(chǎn)品參數(shù)也并不穩(wěn)定。目前SiC芯片成本費(fèi)是igbt模塊的4-5倍，但業(yè)界預(yù)計(jì)SiC成本費(fèi)三年內(nèi)能夠 降低到2倍左右。所以，業(yè)內(nèi)也有聲音覺(jué)得，未來(lái)隨之第3代半導(dǎo)體的成本費(fèi)快速降低，igbt模塊就可能會(huì)進(jìn)一步被3代半導(dǎo)體取代。
實(shí)際上，目前已經(jīng)有廠家開(kāi)始這么做了。2018年，特斯拉model3采用了意法半導(dǎo)體的24個(gè)碳化硅MOSFET模塊代替了igbt模塊，比照硅基的igbt模塊續(xù)航能夠 提升 5~10%，這也被覺(jué)得是第3代半導(dǎo)體首先開(kāi)始取代igbt模塊的苗頭。
國(guó)金證券研報(bào)講解，未來(lái)igbt模塊將向更低的開(kāi)關(guān)損耗、更高的電流密度和更高的工作溫度發(fā)展，隨之?dāng)?shù)萬(wàn)伏高壓、高過(guò)500℃的高溫、高頻、大功率等要求的提出，硅基igbt模塊的性能已經(jīng)接近材質(zhì)性能極限，所以碳化硅（SiC）基igbt模塊將站上歷史舞臺(tái)。
短期來(lái)講，受限于成本費(fèi)問(wèn)題，未來(lái)3-5年igbt模塊重要的應(yīng)用。但未來(lái)隨之SiC成本費(fèi)的降低，穩(wěn)定性逐步提升 ，達(dá)到高量產(chǎn)，那個(gè)時(shí)候，igbt模塊的未來(lái)是不是會(huì)岌岌可危？
